NCE01P30K P沟道增强型功率 MOSFET封装 TO-252(DPAK)蓝信伟业
蓝信商城- 脉冲漏极电流:-48a
- 阈值电压:-1.0v~-2.5v
- 低栅极电荷:有助于加快开关速度/减少开关损耗/适合高频开关应用
- 最大功率耗散:33w
- 漏源电压:-30v
- 栅源电压:±20v
- 移动电话:13424188068
- description:nce01p30k
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详细参数 - 脉冲漏极电流-48a
- 阈值电压-1.0v~-2.5v
- 低栅极电荷有助于加快开关速度/减少开关损耗/适合高频开关应用
- 最大功率耗散33w
- 漏源电压-30v
- 栅源电压±20v
- 移动电话13424188068
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