MMBT5551LT1G晶体管封装SOT-23-3蓝信伟业
蓝信商城- 低饱和压降:vce(sat)典型值低/降低开关损耗/提升电路效率/适配高效电源管理与开关应用
- 高电流增益:直流电流增益(hfe)最小 80/典型 200-300/保障信号放大的增益稳定性与线性度
- 高压特性:集电极 -发射极电压(vceo)160v/集电极 -基极电压(vcbo)180v/适配高压应用场景
- description:mmbt5551lt1g
- 移动电话:13424188068
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详细参数 - 低饱和压降vce(sat)典型值低/降低开关损耗/提升电路效率/适配高效电源管理与开关应用
- 高电流增益直流电流增益(hfe)最小 80/典型 200-300/保障信号放大的增益稳定性与线性度
- 高压特性集电极 -发射极电压(vceo)160v/集电极 -基极电压(vcbo)180v/适配高压应用场景
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- 移动电话13424188068