SI2309CDS-T1-GE3 P沟道增强型功率MOSFET封装SOT-23-3深圳市蓝信伟业电子有限公司
蓝信商城- 低导通电阻:具有较低的导通电阻(rds(on))/有助于减少在导通状态下的功率损耗/提高电路的效率
- description:si2309cds-t1-ge3 p沟道增强型功率mosfet封装sot-23-3深圳市蓝信伟业电子有限公司
- 高开关速度:能够快速响应栅极电压的变化/实现快速的开关动作/适用于高频开关电路
- 稳定的性能:采用先进的制造工艺和材料/确保产品在各种环境下都能稳定可靠地工作
- 移动电话:13424188068
- 紧凑的尺寸:采用sot-23-3封装/具有紧凑的尺寸/便于在pcb上进行布局
- 高反向电压承受能力:能够承受较高的反向电压(vds)/为电路提供可靠的保护
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详细参数 - 低导通电阻具有较低的导通电阻(rds(on))/有助于减少在导通状态下的功率损耗/提高电路的效率
- descriptionsi2309cds-t1-ge3 p沟道增强型功率mosfet封装sot-23-3深圳市蓝信伟业电子有限公司
- 高开关速度能够快速响应栅极电压的变化/实现快速的开关动作/适用于高频开关电路
- 稳定的性能采用先进的制造工艺和材料/确保产品在各种环境下都能稳定可靠地工作
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- 紧凑的尺寸采用sot-23-3封装/具有紧凑的尺寸/便于在pcb上进行布局
- 高反向电压承受能力能够承受较高的反向电压(vds)/为电路提供可靠的保护