SI2301BDS-T1-E3 P沟道增强型MOSFET封装SOT-23-3深圳市蓝信伟业电子有限公司
蓝信商城- 低导通电阻:具有较低的漏源导通电阻(rds(on))/有助于减少导通损耗/提高电路效率
- description:si2301bds-t1-e3 p沟道增强型mosfet封装sot-23-3深圳市蓝信伟业电子有限公司
- 快速开关特性:开关速度快/适用于高频开关电路
- 小尺寸:采用sot-23-3封装/尺寸小巧/重量轻/便于集成
- 移动电话:13424188068
- 低功耗:mos管在导通状态下的功耗非常低/能够实现高效的电能利用
- 高可靠性:产品技术成熟/具有良好的可靠性和稳定性
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详细参数 - 低导通电阻具有较低的漏源导通电阻(rds(on))/有助于减少导通损耗/提高电路效率
- descriptionsi2301bds-t1-e3 p沟道增强型mosfet封装sot-23-3深圳市蓝信伟业电子有限公司
- 快速开关特性开关速度快/适用于高频开关电路
- 小尺寸采用sot-23-3封装/尺寸小巧/重量轻/便于集成
- 移动电话13424188068
- 低功耗mos管在导通状态下的功耗非常低/能够实现高效的电能利用
- 高可靠性产品技术成熟/具有良好的可靠性和稳定性