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DMG3415U-7 P沟道 MOSFET封装SOT-23-3蓝信伟业
蓝信商城价格：0.10元
商品属性：
- 输入电容：294pf
- 低导通电阻：vgs=-4.5v时 rds(on)低至 39mω/vgs=-1.8v时为 71mω/减少导通损耗/提升效率
- 功率耗散：900mw
- 绿色环保：无铅/rohs合规/无卤素与锑/符合“绿色器件”标准/适配环保要求高的产品设计
- 漏源电压：-20v
- 栅源电压：±8v
- 工作结温：-55℃至 150℃
- 低漏电特性：栅极与漏极漏电流小/静态功耗低/适配低功耗待机场景
- 栅极电荷：9.1nc
- 导通电阻：39mω|71mω
价格趋势
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历史最低价0.10元（2024-03-15）
历史最高价0.10元（2024-03-15）
详细参数
- 输入电容294pf
- 低导通电阻vgs=-4.5v时 rds(on)低至 39mω/vgs=-1.8v时为 71mω/减少导通损耗/提升效率
- 功率耗散900mw
- 绿色环保无铅/rohs合规/无卤素与锑/符合“绿色器件”标准/适配环保要求高的产品设计
- 漏源电压-20v
- 栅源电压±8v
- 工作结温-55℃至 150℃
- 低漏电特性栅极与漏极漏电流小/静态功耗低/适配低功耗待机场景
- 栅极电荷9.1nc
- 导通电阻39mω|71mω
- esd保护hbm模式下 3kv
- 移动电话13424188068
- 高可靠性esd保护达 3kv/符合 aec-q101车规标准/工作结温 - 55℃至 150℃/适配恶劣环境
- descriptiondmg3415u-7