CJAB35N03S N沟道 MOSFET封装PDFNWB-8L蓝信伟业
蓝信商城- 导通电阻:7.5mω(@4.5v/ 10a)/降低功耗/提高效率
- 连续漏极电流:35a/能够承受较大的电流负载
- description:n沟道功率 mosfet
- 漏源电压:30v/适用于低电压至中等电压的电路设计
- 工作温度:-55℃至+150℃/适应各种恶劣环境
- 栅极电荷量:24nc/快速响应/适合高频应用
- 耗散功率:25w/适用于高功率应用场景
- 移动电话:13424188068
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详细参数 - 导通电阻7.5mω(@4.5v/ 10a)/降低功耗/提高效率
- 连续漏极电流35a/能够承受较大的电流负载
- descriptionn沟道功率 mosfet
- 漏源电压30v/适用于低电压至中等电压的电路设计
- 工作温度-55℃至+150℃/适应各种恶劣环境
- 栅极电荷量24nc/快速响应/适合高频应用
- 耗散功率25w/适用于高功率应用场景
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