MTD6N20ET4G
南电森美- standardpackqty:2500
- 风格:smd|smt
- 配置:single
- 源击穿电压:+/- 20 v
- 上升时间:29 ns
- 正向跨导gfs:1.5 s
- 源极击穿电压:200 v
- 功率耗散:50 w
- 最大工作温度:+ 150 c
- 封装:reel
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历史最低价7.80元(2024-10-15)
历史最高价7.80元(2024-10-15)
详细参数 - standardpackqty2500
- 风格smd|smt
- 配置single
- 源击穿电压+/- 20 v
- 上升时间29 ns
- 正向跨导gfs1.5 s
- 源极击穿电压200 v
- 功率耗散50 w
- 最大工作温度+ 150 c
- 封装reel
- 编号ecs011481
- 箱体dpak
- 种类mosfet功率
- 漏极连续电流6 a
- 晶体管极性n-channel
- rohs是
- 商家南电科技
- 下降时间20 ns
- 型号mtd6n20et4g
- 最小包装数量2500
- 最小工作温度- 55 c
- 源极rds0.46 ohms