2SK3562东芝场效应晶体管硅N沟道MOS型
蓝信商城- 低漏电流:idss=100μa(vds=600v)
- description:2sk3562
- 增强模式:vth=2.0~4.0 v
- 低漏源导通电阻:rds(on)= 0.9ω(典型值.)
- 高正向传输导纳:yfs|=5.0s(典型值.)
- 移动电话:13424188068
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详细参数 - 低漏电流idss=100μa(vds=600v)
- description2sk3562
- 增强模式vth=2.0~4.0 v
- 低漏源导通电阻rds(on)= 0.9ω(典型值.)
- 高正向传输导纳yfs|=5.0s(典型值.)
- 移动电话13424188068