IRF840PBF N沟道增强型功率MOSFET封装TO-220AB深圳市蓝信伟业电子有限公司
蓝信商城- 高电流承受能力:最大漏极电流(id)为8a/能够处理较大的电流负载
- 低导通电阻:导通电阻为850mω/有助于减少导通状态下的功率损耗
- 快速开关速度:具有快速的开关响应/适用于高频开关应用
- description:irf840pbf n沟道增强型功率mosfet封装to-220ab深圳市蓝信伟业电子有限公司
- 高电压承受能力:最大漏源极击穿电压(vds)为500v/适用于高电压应用
- 移动电话:13424188068
- 高可靠性:采用先进的制造工艺和材料/确保产品的稳定性和可靠性
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详细参数 - 高电流承受能力最大漏极电流(id)为8a/能够处理较大的电流负载
- 低导通电阻导通电阻为850mω/有助于减少导通状态下的功率损耗
- 快速开关速度具有快速的开关响应/适用于高频开关应用
- descriptionirf840pbf n沟道增强型功率mosfet封装to-220ab深圳市蓝信伟业电子有限公司
- 高电压承受能力最大漏源极击穿电压(vds)为500v/适用于高电压应用
- 移动电话13424188068
- 高可靠性采用先进的制造工艺和材料/确保产品的稳定性和可靠性