MMBZ5239BLT1G
- @izt:20
- 货期:现货
- 齐纳阻抗zzt:10
- 齐纳击穿电压vz最小值:8.64
- 封装温度:sot-23-3|-65~150
- 芯片标识:8p
- 最大功率pmax:0.225
- 齐纳击穿电压vz最大值:9.56
- 齐纳击穿电压vz典型值:9.1
- standardpackqty:3000
- @izt20
- 货期现货
- 齐纳阻抗zzt10
- 齐纳击穿电压vz最小值8.64
- 封装温度sot-23-3|-65~150
- 芯片标识8p
- 最大功率pmax0.225
- 齐纳击穿电压vz最大值9.56
- 齐纳击穿电压vz典型值9.1
- standardpackqty3000
- 风格smd|smt
- 电压容差5%
- 齐纳电流10 ma
- 功率耗散300 mw
- 最大工作温度+ 150 c
- 封装reel
- 编号ecs011347
- 最大齐纳阻抗10 ohms
- 齐纳电压9.1 v
- 最大反向漏泄电流3 ua
- 箱体sot-23
- 种类稳压二极管
- rohs是
- 商家南电科技
- 型号mmbz5239blt1g
- 最小包装数量3000
- 最小工作温度- 65 c