BZX84C30LT1G
- @izt:5
- 货期:现货
- 齐纳阻抗zzt:80
- 齐纳击穿电压vz最小值:28
- 封装温度:sot-23-3|-65~150
- 芯片标识:y11
- 最大功率pmax:0.225
- 齐纳击穿电压vz最大值:32
- 齐纳击穿电压vz典型值:30
- standardpackqty:3000
- @izt5
- 货期现货
- 齐纳阻抗zzt80
- 齐纳击穿电压vz最小值28
- 封装温度sot-23-3|-65~150
- 芯片标识y11
- 最大功率pmax0.225
- 齐纳击穿电压vz最大值32
- 齐纳击穿电压vz典型值30
- standardpackqty3000
- 风格smd|smt
- 电压容差7%
- 齐纳电流10 ma
- 功率耗散300 mw
- 最大工作温度+ 150 c
- 封装reel
- 编号ecs011184
- 最大齐纳阻抗80 ohms
- 齐纳电压30 v
- 最大反向漏泄电流0.05 ua
- 箱体sot-23
- 种类稳压二极管
- 电压温度系数26.9 mv/ k
- rohs是
- 商家南电科技
- 型号bzx84c30lt1g
- 最小包装数量3000
- 最小工作温度- 65 c